11月2日消息，據(jù)國外媒體報道，華為正計劃在上海建造不使用美國技術的芯片制造工廠。
華為
了解該項目的人知情稱，華為沒有制造芯片的經驗，該廠將由合作伙伴上海集成電路研發(fā)中心運營。
知情人士稱，預計該廠將從低端的45納米起步。華為計劃在2021年底之前制造用于“物聯(lián)網(wǎng)”設備的28納米芯片，在2022年底之前生產用于5G電信設備的20納米芯片。
據(jù)官網(wǎng)介紹，上海集成電路研發(fā)中心有限公司（ICRD）成立于2002年，ICRD由中國集成電路相關企業(yè)集團和高校聯(lián)合投資組建而成。
上海集成電路研發(fā)中心位于上海市張江高科技園區(qū)，地理位置毗鄰華力微電子和中芯國際。ICRD建有中國12英寸開放式集成電路先進工藝研發(fā)和裝備材料試驗平臺，凈化面積超過3000平方米，研發(fā)環(huán)境及管理系統(tǒng)和大生產線完全匹配，可實現(xiàn)硅片無沾污進出和工藝流程無縫銜接，加快了技術研發(fā)和驗證速度。
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