6月1日消息，江蘇南大光電材料股份有限公司發(fā)布公告稱，寧波南大光電材料有限公司（以下簡稱“寧波南大光電”）自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)品上取得了認證突破。
據(jù)悉本次認證系選擇客戶55nm技術(shù)節(jié)點邏輯芯片產(chǎn)品的工藝進行驗證，寧波南大光電研發(fā)的ArF光刻膠的測試良率結(jié)果符合要求，表明其具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。
ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。廣泛應(yīng)用于高端芯片制造（如邏輯芯片、存儲芯片、AI芯片、5G芯片和云計算芯片等）。ArF光刻膠的市場前景好于預(yù)期。隨著國內(nèi)IC行業(yè)的快速發(fā)展，自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快，以及先進制程工藝的應(yīng)用，將大大拉動光刻膠的用量。
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