8月19日消息(郭睿琦)三星電子副會長李在镕19日先后訪問公司位于京畿道器興和華城的半導體廠,盤點半導體事務。這是李在镕在光復節(jié)獲特赦重返經營一線后的第一個公開日程。
李在镕當天出席在京畿道器興園區(qū)舉行的下一代半導體研發(fā)(R&D)園區(qū)動工儀式。他表示,公司器興半導體廠破土動工已過40年,今天在此再次開始新的挑戰(zhàn)。沒有對研發(fā)的大膽投資就不會有如今的三星半導體,讓我們秉承“重視技術、先行投資”的傳統(tǒng),以前所未有的全新技術創(chuàng)造未來。
據韓國《亞洲日報》報道,該園區(qū)是三星電子自2014年之后時隔8年在國內新建研發(fā)中心。該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)新片等新技術研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。三星電子相關人士表示,若建成具備尖端設備的研發(fā)中心,有望縮短新一代產品研發(fā)時間,提升半導體質量。
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