聯(lián)蕓科技發(fā)布支持64層3D QLC主控解決方案

杭州2018年9月17日電-- 9月17日，國產(chǎn)知名SSD主控芯片廠商聯(lián)蕓科技(MAXIO)正式對外宣布：MAS0902 固態(tài)硬盤主控芯片已支持原廠最新64層 3D QLC NAND 閃存顆粒，并提供搭載聯(lián)蕓科技自主研發(fā)、支持原廠 3D QLC NAND 的高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。MAS0902 固態(tài)硬盤主控芯片，已成功適配全球所有量產(chǎn)的 3D MLC/TLC NAND 閃存顆粒。此次發(fā)布的 3D QLC 閃存固態(tài)硬盤解決方案，無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了最大便利。此次發(fā)布的64層 QLC 3D NAND 閃存固態(tài)硬盤解決方案，單 Die 容量可達 1Tb，固盤容量從120GB 起跳，最高容量可達到 4TB。并且其性能也將成為行業(yè)的標(biāo)桿，240GB 容量下：連續(xù)讀寫性能達到：562 MB/s，526MB/s;隨機讀寫性能達到：340MB/s，319MB/s 。

QLC解決方案及性能測試指標(biāo)

聯(lián)蕓科技副總李國陽先生表示，MAS0902 主控芯片于去年10月份獲得工信部中國芯“最具潛質(zhì)產(chǎn)品”獎之后，快速獲得市場認可。目前該主控芯片能夠幫助客戶在不進行硬件改版的情況下，支持目前市場上全部量產(chǎn)的 3D NAND 顆粒，也是目前全球唯一一款成熟支持 32GB 到 2TB 容量 DRAMLESS 解決方案的主控芯片。目前 NAND 閃存技術(shù)演進速度加快，隨著64層 3D QLC NAND 閃存技術(shù)今年下半年穩(wěn)定量產(chǎn)，以及96層 3D NAND 的推出，將會掀起存儲市場的新一輪變革：固態(tài)硬盤主流容量將在從240GB 起跳，甚至在2019年全面切入到 480GB，從而進一步壓縮機械硬盤的市場空間，帶來 SSD 固態(tài)硬盤主控芯片市場呈現(xiàn)爆發(fā)性增長。

聯(lián)蕓科技目前對外發(fā)布的解決方案支持的是 INTEL 原廠 3D QLC NAND 品質(zhì)閃存顆粒，其他品質(zhì) 3D QLC NAND 閃存顆粒尚未對外發(fā)布。首批獲得聯(lián)蕓科技技術(shù)授權(quán)的廠商，預(yù)計將在國慶節(jié)前正式推出基于國產(chǎn)主控 MAS0902+3D QLC NAND 原廠顆粒系列固態(tài)硬盤，將會給市場帶來極具震撼的效果。聯(lián)蕓科技 MAS0902 主控芯片搭載原廠最新64層 3D QLC NAND 閃存顆粒解決方案成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國產(chǎn) SSD 固態(tài)硬盤主控已經(jīng)在芯片設(shè)計、固件開發(fā)以及量產(chǎn)測試方面與國際接軌。

生成海報

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責(zé)任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。