昨天今日，一條“英特爾推出7nm芯片”的新聞傳遍中國(guó)主流科技媒體，部分科技博客媒體甚至稱“IBM憑此打了英特爾的臉”。作為一個(gè)在長(zhǎng)期全球排名前三的IC公司混過(guò)三年的人，朱飛對(duì)這一消息的第一印象是——不相信，這里面至少存在敘述不準(zhǔn)確或夸大其詞的地方。
為此，我嘗試查詢消息的來(lái)源，在綜合紐約時(shí)報(bào)、Datacenterknowledge等國(guó)外網(wǎng)站的報(bào)道后，基本可以確定國(guó)內(nèi)媒體夸大其實(shí)了。IBM沒(méi)有推出7nm制式的芯片，只是在實(shí)驗(yàn)室取得進(jìn)展而已。
經(jīng)極客網(wǎng)查證，原本消息是，IBMResearch宣布，IBM、GlobalFoundries、三星和紐約州立大學(xué)理工學(xué)院（SUNYPolytechnicInstitute）納米科學(xué)和工程系聯(lián)手研發(fā)出業(yè)界首個(gè)配備功能性晶體管的7nm測(cè)試芯片——是實(shí)驗(yàn)室測(cè)試芯片，并非推出或造出，更未讓英特爾難堪。
上述外媒的報(bào)道強(qiáng)調(diào)，“要制造出7nm制式的半導(dǎo)體芯片還需要很長(zhǎng)的時(shí)間?！盜BMResearch半導(dǎo)體技術(shù)副總裁MukeshKhare稱，通過(guò)使用SiGe（鍺硅）材料及極紫外（EUV）光刻技術(shù)，IBMResearch的研究員得以完成上述7nm測(cè)試芯片。
朱飛總結(jié)下來(lái)：一，這是一塊測(cè)試芯片，還停留在實(shí)驗(yàn)室階段；二，這塊測(cè)試芯片采用昂貴的鍺硅材料，這種材料的芯片尚未被證明能夠在民用領(lǐng)域推廣，因?yàn)槌杀咎?；三，這塊芯片采用了非同尋常的蝕刻工藝。
實(shí)驗(yàn)室和商用是兩碼事，其中材料、工藝都是影響商用的致命因素。想當(dāng)年，第一個(gè)發(fā)明IC的德州儀器年輕員工杰克·基爾比就是基于鍺制出第一個(gè)集成電路的，這種材料并沒(méi)有促使IC快速發(fā)展，直到羅伯特·諾伊思發(fā)明基于硅的集成電路，IC才正式開(kāi)啟快速商用之旅。所以直到今日，關(guān)于IC到底是誰(shuí)發(fā)明的還存在爭(zhēng)議，而杰克·基爾比，也直到他發(fā)明IC 40年后猜得到諾貝爾獎(jiǎng)的認(rèn)可?，F(xiàn)在，業(yè)內(nèi)人一般認(rèn)為，是基爾比和諾伊斯共同完成了這一創(chuàng)舉。
其實(shí)，業(yè)內(nèi)人都知道，要講芯片制式的領(lǐng)先，沒(méi)有廠商可以挑戰(zhàn)英特爾。據(jù)朱飛了解，要論“吹?！?，英特爾前任CEO保羅·歐德寧(PaulOtellini)三年前就表示，英特爾已開(kāi)始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。
近期，英特爾高級(jí)研究員馬克·玻爾(MarkBohr)在一個(gè)技術(shù)交流場(chǎng)合表示，當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米之后（預(yù)計(jì)是2016年），無(wú)需轉(zhuǎn)向成本高昂的材料和高深的制造技術(shù)——例如紫外線激光蝕刻——廠商就可以生產(chǎn)出7納米芯片，預(yù)計(jì)時(shí)間是2018年。
作者：朱飛，微信公眾號(hào)zhufei101。首發(fā)極客網(wǎng)，百度百家、今日頭條、搜狐自媒體、IBTimes同步更新，轉(zhuǎn)載務(wù)請(qǐng)保留此段。
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