2013年底,隨著4G牌照的正式發(fā)放,國(guó)內(nèi)移動(dòng)芯片技術(shù)及產(chǎn)業(yè)開(kāi)始實(shí)現(xiàn)從“有芯”到“強(qiáng)芯”的突破。但對(duì)比國(guó)內(nèi)外芯片企業(yè),國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)品仍以中低端市場(chǎng)為主,利潤(rùn)率低,時(shí)刻面臨國(guó)際巨頭進(jìn)入中低端市場(chǎng)擠壓生存空間的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。專(zhuān)家指出,在當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)格局下,我國(guó)移動(dòng)芯片需要加強(qiáng)對(duì)核心技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵設(shè)備采買(mǎi)以及核心專(zhuān)利授權(quán)等支持。
突破:“無(wú)芯”到“有芯”
據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì),2013年我國(guó)智能手機(jī)和平板電腦的芯片需求總和首次超過(guò)個(gè)人電腦;通信芯片出貨量持續(xù)快速增長(zhǎng),2013年上半年即達(dá)到11億片。
據(jù)工信部電信研究院周蘭、李文宇兩位工程師介紹,在國(guó)家對(duì)新一代寬帶無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的大力支持下,國(guó)內(nèi)取得了從“無(wú)芯”到“有芯”的重大突破,涌現(xiàn)出一批初具國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的設(shè)計(jì)企業(yè),與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)間的技術(shù)差距在不斷縮小。
二位表示,在LTE芯片方面我國(guó)已基本跟上國(guó)際水平。“目前海思、展訊、聯(lián)芯、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、重郵信科、國(guó)民技術(shù)等已實(shí)現(xiàn)LTE基帶芯片的商用供貨;海思、展訊等多家企業(yè)已經(jīng)開(kāi)展TD-LTE、TD-SCDMA、LTE-FDD、GSM和WCDMA五模芯片的研發(fā),并采用目前最先進(jìn)的28nm工藝設(shè)計(jì),2014年多款平臺(tái)即可實(shí)現(xiàn)商用。LTE-Advanced多模芯片的研發(fā)目前也正在進(jìn)行,預(yù)計(jì)2014年可發(fā)布測(cè)試用樣片”.
而在應(yīng)用處理芯片方面,“2011、2012、2013年前三季度我國(guó)智能手機(jī)應(yīng)用處理芯片出貨量分別為0.97、2.58、3.18億片,目前國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到25%,增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)明顯”.
挑戰(zhàn):“國(guó)產(chǎn)化”與“規(guī)模化”
在4G牌照對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)的利好之下,周蘭、李文宇也不諱言稱(chēng),在當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)格局下,我國(guó)移動(dòng)芯片要實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步突破升級(jí),在市場(chǎng)拓展、技術(shù)提升、產(chǎn)業(yè)合作等方面仍面臨巨大挑戰(zhàn)。
二位工程師指出,目前國(guó)內(nèi)多數(shù)芯片企業(yè)實(shí)力和國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)差距較大,產(chǎn)品以中低端市場(chǎng)為主、利潤(rùn)率低,時(shí)刻面臨高通等巨頭進(jìn)入中低端市場(chǎng)擠壓生存空間的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),未來(lái)隨著設(shè)計(jì)技術(shù)及工藝技術(shù)升級(jí)的難度加大,面臨差距拉大再次掉隊(duì)的風(fēng)險(xiǎn)。
另一方面,大帶寬、高速率、高性能、低功耗的發(fā)展需求需要引入28nm甚至更高工藝,而目前我國(guó)28nm芯片產(chǎn)品僅有少量供貨,尚未進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段,無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)企業(yè)的新產(chǎn)品研發(fā)需求。
因此,周蘭、李文宇建議,國(guó)產(chǎn)芯片商抓住4G機(jī)遇,通過(guò)運(yùn)營(yíng)商終端集采、終端企業(yè)整機(jī)研發(fā)時(shí)優(yōu)先采用國(guó)產(chǎn)芯片,加快內(nèi)需市場(chǎng)移動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,推動(dòng)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)??焖俜糯?。
同時(shí),繼續(xù)加強(qiáng)對(duì)LTE及LTE-Advanced多模多頻芯片、多核并行架構(gòu)及64位架構(gòu)芯片、集成型單芯片的研發(fā)。加大對(duì)最先進(jìn)工藝商用芯片研發(fā)的支持。并建議國(guó)家加強(qiáng)對(duì)芯片核心技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵設(shè)備采買(mǎi)以及核心專(zhuān)利授權(quán)等支持及協(xié)調(diào)。
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