臺積電1nm以下制程取得重大突破，已發(fā)表于Nature

臺積電今日聯(lián)合臺大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大進展，研究成果已發(fā)表于 Nature。

該研究發(fā)現(xiàn)，利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻并提高電流，實現(xiàn)接近量子極限的能效，有望挑戰(zhàn) 1nm 以下制程的芯片。

據(jù)介紹，該發(fā)現(xiàn)是由麻省理工團隊首先發(fā)現(xiàn)的，隨后臺積電將“易沉積制程”進行優(yōu)化，而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統(tǒng)”將元件通道成功縮小至納米尺寸。

IT之家此前報道，IBM 在 5 月初首發(fā)了 2nm 工藝芯片，與當前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預計提升 45%，能耗降低 75%。

不過業(yè)界人士表示，由于 IBM 沒有先進邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其 2nm 工藝無法很快落地，“彎道超車”也比較困難。

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