三星宣布成功完成8納米射頻解決方案開發(fā)

北京時(shí)間6月9日消息（艾斯）三星官網(wǎng)今日發(fā)布消息稱，該公司已推出了基于8納米工藝的最新射頻技術(shù)。

三星表示，這一先進(jìn)的工藝技術(shù)有望提供專門用于支持多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)的5G通信“單芯片解決方案”。三星的8納米射頻平臺(tái)將把該公司在5G半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位從Sub-6GHz頻段擴(kuò)展至毫米波應(yīng)用。

三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關(guān)解決方案的最新補(bǔ)充。自2017年以來，三星為高端智能手機(jī)出貨了超過5億顆移動(dòng)終端射頻芯片。

“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強(qiáng)了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。”三星電子代工技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴(kuò)展，對于那些在緊湊型移動(dòng)終端上尋求實(shí)現(xiàn)更長電池壽命和出色信號(hào)質(zhì)量的客戶來說，三星8納米射頻將成為一個(gè)很好的解決方案。”

隨著向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的不斷擴(kuò)展，數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著改善，而模擬/射頻模塊由于退化寄生效應(yīng)（例如窄線寬引起的電阻增加）而沒有得到這種改善。因此，大多數(shù)通信芯片趨向于出現(xiàn)射頻特性退化，例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。

為了克服模擬/射頻擴(kuò)展方面的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種獨(dú)特的8納米射頻專用架構(gòu)，名為RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時(shí)降低功耗。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補(bǔ)充了數(shù)字PPA擴(kuò)展，同時(shí)恢復(fù)了模擬/射頻擴(kuò)展，從而實(shí)現(xiàn)了高性能5G平臺(tái)。

三星在新聞稿中寫道，三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動(dòng)性，同時(shí)最大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實(shí)現(xiàn)減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構(gòu)創(chuàng)新，三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實(shí)，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。