三星宣布3納米制造技術推遲到明年上市

10月7日消息，當地時間周三三星電子宣布公司新一代3納米芯片制造技術將推遲到2022年上市，同時稱更先進的2納米芯片制造技術將在2025年問世。

三星曾計劃于今年開始用3納米制程工藝生產處理速度更快、能效更高的芯片產品。周三公司在“三星代工論壇”（Samsung Foundry Forum）上表示，轉向全新制造技術的難度很大，3納米制程芯片將在2022年上半年上市。

這意味著三星客戶將要到明年才能用上這一前沿技術。三星芯片代工的客戶包括手機芯片設計公司高通、服務器制造商IBM和三星自家產品。

不過好消息是，三星宣布將在2025年下半年實現2納米芯片制造技術。三星表示，這將使芯片在性能、能效以及電子產品小型化向前繼續(xù)邁進。

臺積電今年8月份也宣布推遲上線3納米芯片制造技術。這一計劃的延遲使得英特爾壓力有所緩解。目前英特爾正在推出自家代工業(yè)務，旨在奪回被臺積電和三星拿走的市場份額。

芯片業(yè)務面臨的壓力極大。隨著個人電腦銷量的不斷增長、智能手機的普及以及數據中心的在線服務量不斷上升，市場對芯片的需求已經超過產能。全球范圍內的芯片短缺影響到依賴電子產品供應鏈的個人電腦、游戲機、汽車等產品銷售。

三星代工事業(yè)部高級副總裁Shawn Han說，芯片短缺問題要到2022年才會緩解。他表示，“盡管我們正在投資，其他代工廠商也在增加產能，但在我們看來，這一狀況會再持續(xù)六到九個月。”

轉向新一代芯片制造技術的過程非常復雜。單個芯片由數十億個比塵埃還要小的晶體管組成。芯片制造工廠需要在硅片上蝕刻電路圖案，這一過程需要數十個步驟，耗時數月時間。

芯片制造技術的進步源自晶體管不斷小型化，這樣就可以把更多晶體管壓縮在芯片上，從而提高處理速度并降低功耗。三星新一代芯片制造技術3GAE采用的是一種名為“全環(huán)繞柵極晶體管”(GAA)的技術。

三星預計到2023年推出更成熟的3GAP芯片產品，同時達到高產量。到2025年，三星計劃轉向更先進的2納米芯片制造技術2GAP。

隨著芯片變得越來越復雜，通常也會越來越貴，這就是為什么許多客戶堅持使用格芯等公司更老更便宜制造工藝生產的芯片。

但三星認為，其可以降低全新制造技術的成本。三星電子代工戰(zhàn)略團隊負責人Moonsoo Kang表示：“雖然GAA是一項困難的技術，但我們仍將努力降低單個晶體管的成本。”“這一趨勢將繼續(xù)下去。”

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