臺(tái)積電擬加大對(duì)美投資至400億美元，興建3nm制程工廠(chǎng)

北京時(shí)間12月8日下午消息（蔣均牧）臺(tái)積電（TSMC）證實(shí)了媒體的報(bào)道，它將擴(kuò)大在美國(guó)的芯片生產(chǎn)，宣布計(jì)劃將總投資提高到400億美元，并興建使用3nm先進(jìn)制程的第二座工廠(chǎng)。

到2026年二期工程投產(chǎn)時(shí)，這家合同芯片制造商的計(jì)劃產(chǎn)能將從每年24萬(wàn)片晶圓提高到60萬(wàn)片。兩座工廠(chǎng)將創(chuàng)造4500個(gè)工作崗位，幾乎是最初計(jì)劃的三倍。

臺(tái)積電斥資120億美元建設(shè)的在美第一座工廠(chǎng)將采用其N(xiāo)4工藝生產(chǎn)芯片，并計(jì)劃于2024年投產(chǎn)。該公司原計(jì)劃使用其N(xiāo)5工藝制造5nm芯片。

隨著貿(mào)易緊張局勢(shì)加劇以及疫情限制導(dǎo)致的供應(yīng)鏈中斷，臺(tái)積電的美國(guó)客戶(hù)正推動(dòng)在本地采購(gòu)更多零部件，以減少對(duì)從中國(guó)進(jìn)口的依賴(lài)。

在標(biāo)志著首批芯片設(shè)備到來(lái)的活動(dòng)中，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音（Mark Liu）表示，其目標(biāo)是提供美國(guó)最環(huán)保的芯片制造設(shè)施，生產(chǎn)美國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

臺(tái)積電透露了現(xiàn)場(chǎng)工業(yè)水回收廠(chǎng)的計(jì)劃，這將使其能夠?qū)崿F(xiàn)近乎零的液體排放。

美國(guó)總統(tǒng)喬·拜登（Joe Biden）、蘋(píng)果公司首席執(zhí)行官蒂姆·庫(kù)克（Tim Cook）、AMD董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官蘇姿豐（Lisa Su）和英偉達(dá)總裁兼首席執(zhí)行官黃仁勛（Jensen Huang）出席了儀式。

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