北京時間11月30日消息（艾斯）據報道，三星電子成立了一個負責開發(fā)下一代芯片處理技術的業(yè)務部門，該公司的目標是在人工智能（AI）芯片領域占據領先地位。
業(yè)內消息人士本周三表示，三星最近成立了該部門負責開發(fā)新技術，以保持在芯片加工領域領先于臺積電等競爭對手。
消息人士稱，新部門將由Hyun Sang-jin領導，他在三星半導體工藝節(jié)點的技術進步和先進的3納米芯片量產方面發(fā)揮了關鍵作用。
據悉，該部門將隸屬于三星設備解決方案（DS）部門中的芯片研究中心，該部門將負責監(jiān)督其半導體業(yè)務。
其中一名知情人士表示：“三星希望開發(fā)新技術，使其在未來10年或20年領先于競爭對手。”
三星希望開發(fā)出能夠改變游戲規(guī)則的技術——類似于去年推出的全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around,GAA）技術。三星表示，與之前的處理節(jié)點相比，3納米GAA技術的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面積減少了45%。GAA技術與臺積電和其他使用FinFET工藝技術的代工企業(yè)存在競爭關系。
雖然三星是最大的存儲芯片制造商，但在代工芯片領域的市場份額遠遠落后于臺積電。
此外，本月初，有消息稱，三星計劃在明年推出先進的3D芯片封裝技術，以更好地與對手競爭。消息人士稱，該技術被稱為“SAINT”（即Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先進互連技術），將以更小的尺寸集成AI芯片等高性能芯片所需的存儲和處理器。
業(yè)內人士表示，三星成立了一個新的芯片工藝技術開發(fā)部門，由該公司半導體業(yè)務負責人Kyung Kye-hyun領導。在本周一的高層人事調整中，Kyung Kye-hyun保留了聯席首席執(zhí)行官兼DS部門負責人的職位。此外，他還被任命為三星先進技術研究院（SAIT）的負責人。
新部門的推出是三星努力在AI芯片領域占據領先地位所采取舉措的一部分。根據Gartner的數據，該領域預計到2027年將從今年的534億美元增長到1194億美元。
然而，三星在高帶寬存儲器（HBM）和DDR5 DRAM等先進存儲芯片市場上落后于另一家韓國本土競爭對手SK海力士（SK Hynix）。
HBM是一種高容量、高性能的半導體芯片，可用于支持ChatGPT等生成式AI設備、高性能數據中心和機器學習平臺，對HBM的需求正在飆升。
業(yè)內人士表示，隨著三星電子的業(yè)務重點從存儲芯片擴展到代工和芯片設計，包括優(yōu)秀研究人員在內的投資資源已經分散到更先進的芯片工藝技術上。
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