三星更新半導(dǎo)體工藝路線圖：計劃2027年實現(xiàn)第四代2nm芯片量產(chǎn)

6月14日消息（苡臻）日前，在圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇上，三星更新了其半導(dǎo)體工藝路線圖，目標(biāo)是在 2027 年實現(xiàn)第四代 2nm 芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，并在 2025 年量產(chǎn)升級版 4nm 硅芯片。

據(jù)了解，三星的2nm工藝路線涵蓋了多個技術(shù)節(jié)點，首推SF2，隨后將依次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代 2nm工藝 SF2 將于 2025 年開始，升級版 SF2P 將于 2026 年準(zhǔn)備就緒。

第四代SF2Z 工藝節(jié)點將于 2027 年投入量產(chǎn)，將采用先進的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，以提高能效并降低溫度。

此外，新的 SF4U 工藝被稱為高價值 4 nm變體，利用 “光學(xué)收縮 ”技術(shù)提高了功率、性能和面積，計劃于 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)總裁 Choi Si-young 表示，在圍繞AI的眾多技術(shù)不斷發(fā)展的今天，高性能、低功耗半導(dǎo)體至關(guān)重要。他提到，三星計劃引入集成化、共封裝光學(xué)技術(shù)，以實現(xiàn)高速、低功耗數(shù)據(jù)處理。

三星還指出，其全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)在性能和良率方面正日趨成熟。1.4 nm工藝（SF1.4）的準(zhǔn)備工作 “進展順利，性能和良率目標(biāo)均已如期實現(xiàn)”，并補充說，公司正在通過材料和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新 “積極塑造 ”未來低于 1.4 nm的工藝技術(shù)。

另外，一份來自行業(yè)研究機構(gòu)TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，第一季度三星在代工市場的份額同比持平，為 11%，而競爭對手臺積電（TSMC）則占據(jù)了 61.7%。

今年 2 月，三星獲得了日本初創(chuàng)公司 Preferred Networks 的 2nm AI芯片生產(chǎn)合同。而在上個月，為在高帶寬內(nèi)存芯片領(lǐng)域趕超競爭對手 SK海力士，三星更換了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主管。

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