摘要:當(dāng)?shù)貢r間4月30日,越南本土半導(dǎo)體企業(yè)CT Semiconductor宣布啟動該國首座基于自有技術(shù)的半導(dǎo)體后端工廠(ATP工廠),標(biāo)志著越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“代工組裝”向“自主技術(shù)”的跨越。項目計劃2025年Q4投產(chǎn),2027年實現(xiàn)年產(chǎn)能1億件芯片封裝,軟硬件總投資約1億美元,將成為東南亞地區(qū)首個由本土企業(yè)完全掌控的OSAT(外包半導(dǎo)體組裝與測試)基地。
一、越南半導(dǎo)體自主化“破冰”:從代工到技術(shù)自立
CT Semiconductor此次動工的后端工廠為芯片工廠項目的第二階段,專注于組裝、測試與封裝(ATP)環(huán)節(jié),覆蓋晶圓切割、引線鍵合、塑封、成品測試等全流程。項目占地面積達(dá)3萬平方米,相當(dāng)于4.2個標(biāo)準(zhǔn)足球場,投資規(guī)模約1億美元(約合7.2億元人民幣),資金將用于引進(jìn)自動化封裝設(shè)備、建設(shè)無塵車間及研發(fā)本地化封裝技術(shù)。
關(guān)鍵節(jié)點:
2025年Q4:工廠投產(chǎn),首批采用越南自有技術(shù)的芯片封裝下線;
2025年9月:CT Semiconductor首席技術(shù)官Azmi Bin Wan Hussin Wan宣布,越南首顆由本土OSAT企業(yè)完全主導(dǎo)的ATP芯片將誕生;
2027年:年產(chǎn)能突破1億件,滿足消費電子、汽車電子及工業(yè)控制領(lǐng)域需求。
二、技術(shù)自主背后的戰(zhàn)略布局:填補東南亞OSAT空白
CT Semiconductor的工廠建設(shè)被視為越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“自主化突圍”的核心舉措:
技術(shù)自主性:項目采用越南團隊自主研發(fā)的封裝工藝,突破此前依賴外資企業(yè)(如英特爾、三星越南工廠)的技術(shù)限制;
產(chǎn)業(yè)鏈完善:與越南已有的晶圓代工(如VinES)形成協(xié)同,填補后端制造環(huán)節(jié)空白,推動越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“單一環(huán)節(jié)代工”向“全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋”升級;
區(qū)域競爭:東南亞OSAT市場長期被中國臺灣(日月光、力成科技)和馬來西亞(Unisem)主導(dǎo),CT Semiconductor的投產(chǎn)將改變區(qū)域競爭格局。
三、產(chǎn)能與市場:瞄準(zhǔn)全球芯片封裝需求
根據(jù)CT Semiconductor規(guī)劃,2027年1億件年產(chǎn)能將聚焦兩大市場:
本土需求:越南電子制造業(yè)年產(chǎn)值超1000億美元,三星、蘋果供應(yīng)鏈企業(yè)(如立訊精密、歌爾股份)在越工廠對芯片封裝需求旺盛;
出口導(dǎo)向:通過RCEP協(xié)定輻射東盟市場,同時爭奪全球中低端芯片封裝訂單(如電源管理芯片、傳感器封裝)。
技術(shù)對比:
與中國長電科技、通富微電等頭部OSAT企業(yè)相比,CT Semiconductor初期產(chǎn)能規(guī)模較小,但憑借越南勞動力成本優(yōu)勢(較中國低30%),有望在中低端市場形成競爭力。
四、挑戰(zhàn)與機遇:越南半導(dǎo)體自主化的“雙刃劍”
盡管項目意義重大,但CT Semiconductor仍面臨三大挑戰(zhàn):
技術(shù)迭代壓力:先進(jìn)封裝技術(shù)(如Chiplet、2.5D/3D封裝)正成為主流,越南需持續(xù)投入研發(fā)以避免技術(shù)代差;
人才缺口:越南半導(dǎo)體工程師數(shù)量不足,CT Semiconductor需與高校合作培養(yǎng)本地化技術(shù)團隊;
供應(yīng)鏈依賴:封裝材料(如基板、引線框架)仍需從中國、日本進(jìn)口,供應(yīng)鏈自主化程度有限。
政策支持:
越南政府已將半導(dǎo)體列為“國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)”,計劃到2030年培養(yǎng)5萬名工程師,并推出稅收優(yōu)惠、土地補貼等政策,助力CT Semiconductor等企業(yè)突破瓶頸。
五、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)中的越南角色
CT Semiconductor的工廠動工,折射出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的三大趨勢:
區(qū)域化布局:地緣政治風(fēng)險推動跨國企業(yè)將產(chǎn)能分散至東南亞,越南憑借勞動力、關(guān)稅及政策優(yōu)勢成為新選擇;
技術(shù)下沉:OSAT環(huán)節(jié)技術(shù)門檻相對較低,適合新興市場國家切入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè);
本土化競爭:越南、印度等國通過扶持本土企業(yè),試圖打破東亞在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的長期壟斷。
結(jié)語:越南半導(dǎo)體自主化的“第一塊拼圖”
CT Semiconductor后端工廠的落地,標(biāo)志著越南在半導(dǎo)體自主化道路上邁出關(guān)鍵一步。盡管1億件年產(chǎn)能在全球OSAT市場中仍屬“小而美”,但其象征意義遠(yuǎn)超經(jīng)濟價值——它向世界證明,新興市場國家完全有能力通過技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)政策,在半導(dǎo)體這一“現(xiàn)代工業(yè)皇冠”上鑲嵌屬于自己的明珠。未來,越南能否借此突破“低端鎖定”,實現(xiàn)從組裝基地到技術(shù)強國的躍遷,值得持續(xù)觀察。
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