iPhone15發(fā)布，蘋果和臺積電的牛皮都破了，3納米沒那么神奇

在發(fā)布會之前，A17處理器和3納米工藝被吹得神乎其神，隨著iPhone15的發(fā)布，兩者也終于在人們面前顯示出真面目，事實就是先進工藝并沒那么厲害，多花的錢并不值。

蘋果在發(fā)布會上表示A17Pro處理器的CPU性能最高提升10%，這與之前傳聞的至少提升30%相去甚遠，顯示蘋果在芯片設計方面已經逐漸接近天花板，也說明臺積電的3納米工藝性能提升相當有限。

蘋果的A系處理器向來在性能方面表現(xiàn)都相當卓越，每一代都能提升兩成以上，不過從A15以來，處理器的性能提升幅度逐漸減小，A15的性能提升了7%，A16提升了10%，性能提升幅度的減小，讓蘋果在處理器技術方面的優(yōu)勢減少。

對比之下，安卓芯片如今的性能提升幅度卻更大，高通的高端芯片驍龍8G2的CPU性能比驍龍8G1提升了35%，由此安卓芯片在性能方面正快速縮短與蘋果的差距，業(yè)界本來希望蘋果的這一代處理器A17能改變此前兩代擠牙膏的印象，現(xiàn)實卻并不理想。

導致如此結果可能在于蘋果自身在技術研發(fā)方面的實力逐漸減弱，蘋果現(xiàn)任CEO庫克太重視利潤，對于研發(fā)投入的支持不如當年的喬布斯，由于蘋果對技術研發(fā)的重視程度下降，近幾年來蘋果的技術人員流失嚴重，例如被高通收購的芯片初創(chuàng)企業(yè)NUVIA的三位創(chuàng)始人就來自蘋果A系處理器研發(fā)團隊。

導致A17處理器的性能拉胯的另一個原因則可能是臺積電的3納米工藝性能提升有限，臺積電高估了3納米工藝的技術優(yōu)勢。此前就曾有人士指臺積電的3納米工藝性能相當拉胯，原因是FINFET工藝并不適應4納米以下制程。

臺積電為了降低3納米工藝的開發(fā)難度強行將FINFET工藝應用于3納米工藝，這與它此前在7納米工藝上如出一轍，當時臺積電為了確保7納米工藝的穩(wěn)步推進而采用了原來的DUV光刻機，而不是更適應7納米及以下的EUV光刻機，不過當時的7納米工藝表現(xiàn)卻相當理想，這次3納米似乎搞砸了。

當然臺積電如此保守的做法對于技術研發(fā)來說確實更穩(wěn)妥，當年三星率先將EUV光刻機引入7納米工藝，導致三星的7納米工藝良率太低；如今三星也率先將GAA工藝引入3納米，更是導致3納米工藝的良率慘不忍睹，業(yè)界人士推測可能低至20%，而臺積電采用FinFET工藝的3納米良率更高卻也只有55%左右，可見3納米工藝的開發(fā)難度確實很大。

由于臺積電的3納米工藝表現(xiàn)不太理想，曾有消息指高通計劃采用臺積電改良的4納米工藝N4P生產驍龍8G3，如今3納米工藝的表現(xiàn)如此之差，恐怕更會進一步堅定高通采用N4P工藝的決心。

總的來說iPhone15的表現(xiàn)遠不如預期，再加上國產5G手機的競爭，蘋果希望iPhone15的銷量取得高增長的希望更加渺茫，去年的iPhone14表現(xiàn)不佳曾導致蘋果董事會要求庫克離職，這次iPhone15如果銷售表現(xiàn)還是不理想，只怕庫克的壓力會更大。

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