中國芯片材料再突破,千公里外發(fā)現F35,美機無奈裸奔!

香港《南華早報》發(fā)布了一則讓國人振奮的消息,報道指中國在雷達材料方面取得重大突破,新材料的使用可以大幅增強雷達的探測距離,特別是對于隱身戰(zhàn)機的探測距離大幅增加數倍。

這種材料叫做碳化硅(SiC),這種材料可以承受更高的電壓,同時又具有更高的熱導率,由此就解決了此前的氮化鎵、砷化鎵面臨的電壓局限,以及高電壓帶來的發(fā)熱問題。

氮化鎵被認為是三代半導體,而碳化硅則是三代半材料,這些材料在雷達中的作用是用做T/R模塊,用于發(fā)射電波和接收電波,這也是雷達性能的關鍵,更強的功率自然就能發(fā)射更強的電波。

雷達如今已是全球高精尖武器競爭的關鍵,更強的雷達自然就能在更遠距離上發(fā)現敵機,從而實現先敵發(fā)現、先敵射擊等目的,增加己方空戰(zhàn)勝利的幾率。

特別是在現代戰(zhàn)機逐漸向隱形戰(zhàn)機發(fā)展的時候,雷達技術更是制勝的關鍵,其實隱形戰(zhàn)機并非無法發(fā)現,隱形戰(zhàn)機通過外形設計和隱形涂料的采用降低了雷達波反射面積,從而讓雷達難以發(fā)現,而雷達技術的發(fā)展則可以破解隱形戰(zhàn)機。

近幾十年來中國在雷達技術方面可謂突飛猛進,特別是近幾年在半導體材料方面的不斷突破,更是不斷提升了中國的雷達探測能力,此前在氮化鎵材料研發(fā)方面,中國就已走在世界前面。

中國在氮化鎵材料方面不僅實現技術的突破,還實現了低成本的量產,由此氮化鎵材料開始大量應用于民用,氮化鎵充電器的大量使用,就在于中國在氮化鎵技術方面的突破。

這恰恰體現出中國數十年來在基礎材料研發(fā)方面的扎實基礎,如此也就不奇怪中國迅速在碳化硅材料方面取得突破,并迅速投入商用,由此大幅增強中國在雷達技術方面的突破。

碳化硅應用于雷達上,意義非常重大,這讓采用碳化硅材料的T/R模塊可以在高功率工作場景下,依然保持合適的溫度,確保了雷達的穩(wěn)定運行。

據悉中國的研發(fā)機構為了確保采用碳化硅材料的T/R模塊穩(wěn)定運行,還開發(fā)了采用特殊材料制造的散熱層,確保T/R模塊的工作溫度控制在75°C以下,測試顯示T/R模塊至少可以維持穩(wěn)定工作300小時以上,確保在戰(zhàn)場高頻使用下的正常運行。

據測試顯示,采用了碳化硅材料的雷達搭載于中國先進的殲20戰(zhàn)機上,對F35這種隱形戰(zhàn)機的探測距離已超過1000公里,可以說F35戰(zhàn)機在這種雷達面前就相當于裸奔,隱形已徹底失去了作用。

相比之下,F35的理論探測距離為450公里,而對殲20這種隱身戰(zhàn)機的探測距離估計只有100公里,如此情況下,配合射程達到800公里的PL-21空空導彈,F35還沒有發(fā)現殲20就已遠遠被擊落,可見先進雷達的重要作用。

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2025-07-14
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