聯(lián)電獲和艦全部股權(quán)，但發(fā)展慢難應(yīng)對(duì)中芯等的競(jìng)爭(zhēng)

臺(tái)灣第二大半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電決議將出資超過(guò)6000萬(wàn)美元收購(gòu)和艦科技剩余的8.92％股權(quán)，獲得這個(gè)半導(dǎo)體制造廠的100%股權(quán)，從2001年建廠至今足足花了15年時(shí)間，不過(guò)這也體現(xiàn)了它推進(jìn)自己的戰(zhàn)略太慢了，無(wú)法快速應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

聯(lián)電成立時(shí)間比全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電還早了七年時(shí)間，不過(guò)進(jìn)入1990年代后其卻逐漸被臺(tái)積電趕超，進(jìn)入2000年后臺(tái)積電更步步領(lǐng)先聯(lián)電，如今臺(tái)積電占有半導(dǎo)體代工市場(chǎng)份額達(dá)到54%，而聯(lián)電的市場(chǎng)份額則只有9.3%。

為了扭轉(zhuǎn)自己的不利地位，聯(lián)電將希望放在全球最大的市場(chǎng)--中國(guó)大陸市場(chǎng)，早早就借道在大陸組建和艦科技希望以此獲得中國(guó)大陸市場(chǎng)，不過(guò)隨后的諸多波折卻讓聯(lián)電費(fèi)了很長(zhǎng)時(shí)間才實(shí)現(xiàn)對(duì)和艦科技的控股，更花了超過(guò)15年時(shí)間才獲得和艦科技的全數(shù)股權(quán)。

2014年底聯(lián)電再次進(jìn)軍大陸，宣布在廈門(mén)建設(shè)更先進(jìn)的12寸半導(dǎo)體工廠（和艦科技是8寸半導(dǎo)體工廠），經(jīng)過(guò)兩年時(shí)間的緊急建設(shè)到今年11月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，不過(guò)并沒(méi)能如其預(yù)期的投產(chǎn)28nm工藝而是40nm工藝。

這再一次的體現(xiàn)了聯(lián)電的“慢”，由于中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局的要求，臺(tái)灣的臺(tái)積電和聯(lián)電兩大半導(dǎo)體制造企業(yè)在臺(tái)灣投產(chǎn)的工藝要比它們?cè)谥袊?guó)大陸投產(chǎn)的工藝領(lǐng)先一代，聯(lián)電本希望今年實(shí)行18nm甚至14nm工藝的量產(chǎn)，而將它的28nmHKMG工藝引入廈門(mén)工廠，以與中國(guó)大陸最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造廠中芯國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，中芯國(guó)際今年9月量產(chǎn)28nmHKMG工藝，但是從聯(lián)電廈門(mén)工廠量產(chǎn)的僅是40nm工藝來(lái)看其18nm和14nm工藝進(jìn)展顯然不理想。

在聯(lián)電進(jìn)入大陸市場(chǎng)建設(shè)和艦科技后，其欲挑戰(zhàn)的臺(tái)積電也緊急在2003年進(jìn)入大陸建設(shè)上海松江8寸半導(dǎo)體工廠，并隨后連續(xù)擴(kuò)大該工廠的規(guī)模；在聯(lián)電建設(shè)廈門(mén)工廠后，臺(tái)積電又在今年與中國(guó)大陸達(dá)成合作建設(shè)南京12寸半導(dǎo)體工廠，并且計(jì)劃在2018年投產(chǎn)16nm工藝，再次實(shí)現(xiàn)對(duì)聯(lián)電的領(lǐng)先。

中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體制造廠中芯國(guó)際也在加速自己的工藝研發(fā)進(jìn)度，其14nmFinFET工藝本來(lái)預(yù)計(jì)在2020年達(dá)產(chǎn)，但是在大舉投資和高通、華為海思等的幫助下將該計(jì)劃提前到2018年，這即是說(shuō)即使聯(lián)電明年成功在臺(tái)灣量產(chǎn)18nm和14nmFinFET工藝而將28nmHKMG引入廈門(mén)工廠，也已落后于臺(tái)積電和中芯國(guó)際。

在這樣的情況下，聯(lián)電正處于一步落后步步落后的困況中，也正由于這樣在先前擊敗格羅方德奪回全球第二大半導(dǎo)體代工廠的位置后，2015年又一次被格羅方德通過(guò)購(gòu)買(mǎi)三星的14nmFinFET工藝再次反超聯(lián)電贏回第二大代工廠的位置。

中國(guó)大陸的中芯國(guó)際，在經(jīng)過(guò)前幾年的調(diào)整后，近兩年也開(kāi)始逐漸走上正軌，營(yíng)收、凈利潤(rùn)穩(wěn)步增長(zhǎng)，在工藝研發(fā)方面穩(wěn)步推進(jìn)，28nm工藝進(jìn)展良好，今年將資本支出增加至25億美元，這是它首次在該項(xiàng)支出方面超過(guò)聯(lián)電，并且它喊出了要搶占全球第二大半導(dǎo)體代工廠位置的目標(biāo)。

2015年前五大半導(dǎo)體代工廠中，中芯國(guó)際的營(yíng)收以13.1%的增速位居第一，而聯(lián)電的營(yíng)收則同比下滑1.3%是前五大中唯一出現(xiàn)下滑的。IC insights預(yù)計(jì)中芯國(guó)際今年的營(yíng)收可以達(dá)到28.5億美元同比增長(zhǎng)高達(dá)27%，繼續(xù)在前五大半導(dǎo)體代工廠中位居增速第一，只要保持20%的增速到2020年將達(dá)到60億美元，而聯(lián)電去年的營(yíng)收為45.6億美元，假如這幾年中芯國(guó)際繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)而聯(lián)電只有微幅增長(zhǎng)的話那么最快2020年中芯國(guó)際將超越聯(lián)電。

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